GaN-Leistungsbauelemente und integrierte Schaltungen
Eine zentrale Innovation dieses Forschungsprojekts ist die Entwicklung von GaN-Leistungsbauelementen und integrierten Schaltungen, die die wesentlichen Einschränkungen heutiger Lösungen überwinden, nämlich eine Sperrspannung von über 1,2 kV, eine hohe Isolationsfähigkeit und ein optimiertes Wärmemanagement. Das Projekt zielt auf GaN-Leistungs-ICs mit Nennwerten von 1,7 kV und 10 A ab, die auf isolierenden Substraten wie SiC oder Saphir realisiert werden, um eine vertikale Isolation von mehr als 10 kV zu erreichen. Diese Plattform ermöglicht zudem einen integrierten, isolierten Gate-Treiber, der auf einem zum Patent angemeldeten Konzept basiert, und unterstützt gleichzeitig die direkte Montage auf einem Kühlkörper für eine verbesserte Wärmeabfuhr. Darüber hinaus ist die Technologie darauf ausgelegt, den Parallelbetrieb von GaN-Bauelementen zu erleichtern, was eine höhere Strombelastbarkeit und skalierbare Leistungsumwandlungssysteme ermöglicht.
Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie